1.中心频率
是指频率调节范围的中间值,即振荡器频率的较大值和较小值的中间值,中心频率的大小取决于振荡器的结构和元器件参数,而且还随着工艺和温度相应改变;随着科学技术的不断发展和产品性能的调高,现如今cmos压控振荡器的中心频率能够达到10ghz。
2.调谐范围
是指调节输出频率的变化范围,即振荡器的较大调谐频率和较小调谐频率的差值压控振荡器要有足够大的调谐范围才能满足输出频率达到所需要的值。
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a) 直接应用不需调整晶体频率;
b) 可得到晶体理论上的频率温度稳定度;
c) 振荡回路上可以附加多功能高标准应用;
d) 可以实现电路匹配,电性能稳定,还可以对某项电性能进一步倾向性优化,来满足特定需求。比如:低功耗,超宽温,低相噪低抖动,差分输出,晶振厂家,多波形选择。
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a.近端相噪主要是晶体 q 值来决定。高频晶体有---的近载波相位噪声(close-inphase noise), 因为他们有低的 q 值和更宽的边带;
b 中端相噪主要是晶体---电路(包括 ic)来决定;
c 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。
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