压控振荡器的类型有lc压控振荡器、rc压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好、控制灵敏度高、调频范围宽、频偏与控制电压成线---并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，压控晶振批发，但调频范围窄；rc压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，lc压控振荡器居二者之间。
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a.近端相噪主要是晶体 q 值来决定。高频晶体有---的近载波相位噪声（close-inphase noise）， 因为他们有低的 q 值和更宽的边带；
b 中端相噪主要是晶体---电路(包括 ic)来决定；
c 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。
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晶振的动态电容与频率的牵引成正比，负载电容大小及其变化大小与频率牵引成反比，选用基频并增大动态电容可加大牵引，压控晶振，但谐振器的动态电感减小，q值下降，频率稳定度必然下降。为---振荡器能顺利起振，并具有较好的稳定度，电感 l1 不能用得过大。
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