理想的 koan 压控晶振，其振荡频率与变容二极管的反向电压之间的关系应该是线性的。当控制电压变化时，此线---应不被破坏，但若振荡器设计不合理时，晶振厂家，其压控特性变得复杂起来而不再保持一种线---。为了---晶振频率稳定度，需减小叠加到变容二极管上的高频电压，晶振价格，稳定叠加到变容二极管偏压上的高频电压，改进变容二极管偏压与频率特性的线性和对称性。
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1.中心频率
是指频率调节范围的中间值，即振荡器频率的较大值和较小值的中间值，中心频率的大小取决于振荡器的结构和元器件参数，而且还随着工艺和温度相应改变;随着科学技术的不断发展和产品性能的调高，现如今cmos压控振荡器的中心频率能够达到10ghz。
2.调谐范围
是指调节输出频率的变化范围，即振荡器的较大调谐频率和较小调谐频率的差值压控振荡器要有足够大的调谐范围才能满足输出频率达到所需要的值。
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vcxo 是将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶振批发，晶体振荡器频率的小峰值改变量。说明：基准电压为＋2.5v，规定终点电压为＋0.5v 和＋4.5v，压控晶体振荡器在＋0.5v 频率控制电压时频率改变量为-2ppm，在＋4.5v频率控制电压时频率改变量为+2.1ppm，则 vcxo 电压控制频率压控范围表示为：***±2ppm(2.5v±2v)，斜率为正，线性为+2.4%。
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